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高真空异质键合设备

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WBX-V200是面向第三代半导体与先进异质集成领域推出的高真空键合设备,支持SiC、GaN、InP、GaAs、LT/LN、金刚石等多种材料的同质与异质键合工艺。

设备支持IFB、PAB、SAB、ADB等多种先进键合模式,其中全球首创的IFB原位键合技术可实现高效、低损伤的高真空异质键合,大幅提升界面质量与工艺稳定性。产品广泛适用于新能源汽车、光伏储能、5G/6G通信、光电子、高端传感器及高温电子等关键领域。
  • 适用范围:SiC、GaN、InP、GaAs、LT/LN、金刚石等先进复合衬底
  • 键合方式:高真空室温直接键合(1E-6Pa)
  • 对准精度:±100‌μm(X/Y),0.1°(θ),可选:±2‌μm(X/Y)

规格参数

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